IXTA86N20T

更新时间： 2024-11-18 12:27:43

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲栅局域网
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6页	191K
描述
Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTA86N20T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	86 A
最大漏源导通电阻：	0.029 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	260 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTA86N20T 数据手册

IXTA 86N20T

IXTP 86N20T

IXTQ 86N20T

V_DSS= 200

I_D25= 86

R_DS(on)≤ 29 mΩ

Trench Gate

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

200

V_GSM

(TAB)

I_D25

I_L

I_DM

T_C= 25°C*

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

260

TO-220 (IXTP)

I_AS

E_AS

T_C

25°C

1.0

(TAB)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 3.3 Ω

V/ns

T_C= 25°C

480

TO-3P (IXTQ)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

(TAB)

M_d

F_C

Mounting

Mounting Force

Torque

(TO-220, TO-3P)

(TO-263)

1.13 / 10 Nm/ lb.in.

10...65/2..5..15

N/lb.

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

5.5

Features

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

200

V_DS= V_GS, I_D= 1 mA

3.0

5.0

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

V_GS

20 V, V_DS= 0 V

200

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25, Note 1

29 mΩ

DS99664(08/06)

12 3 4 5 6

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IXTA86N20T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP86N20T	IXYS	完全替代	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ86N20T	IXYS	类似代替	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXTA8N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA8N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
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