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IXTQ86N20T

更新时间： 2024-01-13 20:24:16
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IXYS 栅
页数 文件大小 规格书
6页 191K
描述
Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTQ86N20T 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
Base Number Matches：1

IXTQ86N20T 数据手册

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IXTA 86N20T  
IXTP 86N20T  
IXTQ 86N20T  
VDSS = 200  
ID25 = 86  
RDS(on) ≤ 29 mΩ  
V
A
Trench Gate  
Power MOSFET  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 (IXTA)  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
200  
200  
V
V
G
S
VGSM  
30  
V
(TAB)  
ID25  
IL  
IDM  
TC = 25°C*  
Lead Current Limit, RMS  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
86  
75  
260  
A
A
A
TO-220 (IXTP)  
IAS  
EAS  
TC  
TC  
=
=
25°C  
25°C  
10  
1.0  
A
J
(TAB)  
G
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/μs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 3.3 Ω  
3
V/ns  
D
S
TC = 25°C  
480  
W
TO-3P (IXTQ)  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
G
D
S
(TAB)  
Md  
FC  
Mounting  
Mounting Force  
Torque  
(TO-220, TO-3P)  
(TO-263)  
1.13 / 10 Nm/ lb.in.  
10...65/2..5..15  
N/lb.  
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
Weight  
TO-263  
TO-220  
TO-3P  
2
3
5.5  
g
g
g
Features  
z International standard packages  
z Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
z Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 μA  
200  
V
V
VDS = VGS, ID = 1 mA  
3.0  
5.0  
Advantages  
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
z
VGS  
=
20 V, VDS = 0 V  
200  
nA  
z
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
1
250  
μA  
μA  
z
TJ = 125°C  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25, Note 1  
29 mΩ  
DS99664(08/06)  
© 2006 IXYS All rights reserved  
123456

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IXTQ86N20T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTP86N20T IXYS

类似代替

 Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA86N20T IXYS

类似代替

 Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXFT80N20Q IXYS

功能相似

 HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

与IXTQ86N20T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTQ86N25T LITTELFUSE

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 		Power Field-Effect Transistor,
IXTQ86N25T IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 250V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ88N28T IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 280V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ88N30P IXYS

获取价格

 		PolarHTTM Power MOSFET
IXTQ88N30P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ90N15T IXYS

获取价格

 		Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ96N15P IXYS

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode Preliminary Data Sheet
IXTQ96N15P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ96N20P IXYS

获取价格

 		N-Channel Engancement Mode
IXTQ96N20P LITTELFUSE

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 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

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