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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-3P | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 4.3 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 9900512 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category： | Transistor Outline, Vertical |
| Samacsys Footprint Name： | TO-3P (IXTQ) | Samacsys Released Date： | 2020-01-08 11:43:46 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 2000 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 300 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 88 A | 最大漏源导通电阻： | 0.04 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 220 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFK88N30P | IXYS |
完全替代  |
Polar HiPerFET Power MOSFET |
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| IXTH88N30P | IXYS |
完全替代 |
PolarHT Power MOSFET |
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| IXFH88N30P | IXYS |
功能相似 |
Polar HiPerFET Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTQ90N15T | IXYS |
获取价格 |
Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTQ96N15P | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Preliminary Data Sheet |
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| IXTQ96N15P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTQ96N20P | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Engancement Mode |
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| IXTQ96N20P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTQ96N25T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTQ96N25T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 250V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTR102N65X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的 |
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| IXTR10N20A | LITTELFUSE |
获取价格 |
Transistor |
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| IXTR120P20T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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