IXTQ88N30P

更新时间： 2024-02-05 06:49:38

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲 PC 局域网
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描述
PolarHTTM Power MOSFET

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IXTQ88N30P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.37	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	300 V
最大漏极电流 (ID)：	88 A	最大漏源导通电阻：	0.04 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	220 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTQ88N30P 数据手册

PolarHT^TM

Power MOSFET

IXTH 88N30P

IXTK 88N30P

IXTQ 88N30P

IXTT 88N30P

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

= 300 V

= 88 A

≤ 40 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247 (IXTH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

D (TAB)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

300

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

TO-264 (IXTK)

V_GSM

I_D25

T_C=25° C

I_D(RMS)

I_DM

External lead current limit

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

220

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

D (TAB)

2.0

TO-3P (IXTQ)

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

T_C=25° C

600

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

(TAB)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

TO-268 (IXTT)

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-264

TO-3P & TO-268

6.0

5.5

D (TAB)

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Features

International standard package

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

300

2.5

5.0

Low package inductance

- easy to drive and to protect

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

100

µA

Advantages

T_J= 125° C

Easy to mount

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

40 mΩ

High power density

DS99129E(12/05)

12 3 4 5

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFK88N30P	IXYS	完全替代	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXTH88N30P	IXYS	完全替代	PolarHT Power MOSFET
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ90N15T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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IXTQ96N15P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ96N20P	IXYS	获取价格	N-Channel Engancement Mode
IXTQ96N20P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ96N25T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ96N25T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 250V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTR102N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
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