IXTH88N30P

更新时间： 2024-11-18 03:12:11

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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PolarHT Power MOSFET

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IXTH88N30P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	4.28
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	300 V
最大漏极电流 (ID)：	88 A	最大漏源导通电阻：	0.04 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	220 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTH88N30P 数据手册

IXTH 88N30P

IXTT 88N30P

V_DSS= 300 V

I_D25= 88 A

= 40 mΩ

PolarHT^TM

Power MOSFET

R_DS(on)

N-Channel Enhancement Mode

Preliminary Data Sheet

TO-247(IXTH)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

300

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GSM

D (TAB)

I_D25

T_C= 25°C

I_D(RMS)

I_DM

External lead current limit

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

TO-268 (IXTT)

220

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

2.0

D (TAB)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 4 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_C= 25°C

600

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Weight

TO-247

TO-264

TO-268

Advantages

Easy to mount

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

Space savings

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

High power density

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

300

2.5

5.0

100 nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

25 µA

250 µA

T_J= 125°C

PolarHT^TMDMOStransistors

utilize proprietary designs and

process. US patent is pending.

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

40 mΩ

DS99129A(01/04)

12 3 4 5

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IXTH88N30P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTQ88N30P	IXYS	完全替代	PolarHTTM Power MOSFET
IXFK88N30P	IXYS	完全替代	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFH88N30P	IXYS	完全替代	Polar HiPerFET Power MOSFET

与IXTH88N30P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH8P45	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-218VAR
IXTH8P50	IXYS	获取价格	Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTH8P50	LITTELFUSE	获取价格	P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-2
IXTH90N15T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTH90N20X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXTH90P10P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH94N20X4	LITTELFUSE	获取价格	新型200V X4超级结MOSFET采用最新的超级结技术设计，适用于高效电源应用。其采用
IXTH96N20P	IXYS	获取价格	N-Channel Engancement Mode
IXTH96N20P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTH96N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低

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