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IXTA8N50P

更新时间： 2024-09-10 03:17:11

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5页	228K
描述
PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTA8N50P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	8.56
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXTA8N50P 数据手册

PolarHV^TM

Power MOSFET

IXTA 8N50P

IXTP 8N50P

V_DSS= 500 V

I_D258 A

R_DS(on)≤ 0.8

Ω

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-263 (IXTA)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

500

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

TO-220 (IXTP)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C=25° C

400

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 18 Ω

V/ns

(TAB)

T_C=25° C

150

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

M_d

Mounting torque

(TO-220)

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-220

TO-263

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 100µA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

500

Advantages

3.0

5.5

Easy to mount

Space savings

100

High power density

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

µA

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

0.8

Ω

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99321E(03/06)

12 3 4 5

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IXTA8N50P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP8N50P	IXYS	类似代替	PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
STB11NK50ZT4	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 500 V, 0.48 Ω , 10 A TO-220, TO-220

与IXTA8N50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA8N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA8N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA8N70X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXTA90N055T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 55V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA90N055T2	IXYS	获取价格	DC to DC Synchronous Converter Design
IXTA90N055T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA90N075T2	IXYS	获取价格	DC to DC Synchronous Converter Design
IXTA90N075T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA90N15T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTA90N20X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘

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