IXTP8N50P

更新时间： 2024-11-18 03:44:47

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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5页	228K
描述
PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTP8N50P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	8.47
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	0.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTP8N50P 数据手册

PolarHV^TM

Power MOSFET

IXTA 8N50P

IXTP 8N50P

V_DSS= 500 V

I_D258 A

R_DS(on)≤ 0.8

Ω

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-263 (IXTA)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

500

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

TO-220 (IXTP)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C=25° C

400

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 18 Ω

V/ns

(TAB)

T_C=25° C

150

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

M_d

Mounting torque

(TO-220)

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-220

TO-263

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 100µA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

500

Advantages

3.0

5.5

Easy to mount

Space savings

100

High power density

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

µA

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

0.8

Ω

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99321E(03/06)

12 3 4 5

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IXTP8N50P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTA8N50P	IXYS	类似代替	PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
NTE2923	NTE	功能相似	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
2SK3521-01SJ	FUJI	功能相似	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

与IXTP8N50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP8N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP8N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP8N65X2M	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP8N65X2M	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP8N70X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXTP8N70X2M	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP8N70X2M	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXTP8P25	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-220
IXTP90N055T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 55V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTP90N055T2	IXYS	获取价格	DC to DC Synchronous Converter Design

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