5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTP90N055T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 55V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IXTP90N055T2 | IXYS |
获取价格 |
DC to DC Synchronous Converter Design |
|
| IXTP90N055T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
|
| IXTP90N075T2 | IXYS |
获取价格 |
DC to DC Synchronous Converter Design |
|
| IXTP90N075T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
|
| IXTP90N15T | IXYS |
获取价格 |
Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
|
| IXTP90N15T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低 |
|
| IXTP90N20X3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTP94N20X4 | LITTELFUSE |
获取价格 |
说明: 功能与特色: 应用: |
|
| IXTP96P085T | IXYS |
获取价格 |
TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode |
|
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
解读L9904TR手册资料：产品概述、主要功能、电气参数
芯片底部填充工艺：提升电子设备可靠性的关键步骤
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
