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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTP90N055T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 55V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTP90N055T2 | IXYS |
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DC to DC Synchronous Converter Design |
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| IXTP90N055T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXTP90N075T2 | IXYS |
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DC to DC Synchronous Converter Design |
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| IXTP90N075T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXTP90N15T | IXYS |
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Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTP90N15T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTP90N20X3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTP94N20X4 | LITTELFUSE |
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说明: 功能与特色: 应用: |
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| IXTP96P085T | IXYS |
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TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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