是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.74 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 400 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 75 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 90 A | 最大漏极电流 (ID): | 90 A |
最大漏源导通电阻: | 0.01 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 180 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 225 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTA90N075T2 | IXYS |
类似代替 |
DC to DC Synchronous Converter Design |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTP90N15T | IXYS |
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Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode | |
IXTP90N15T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(ON)极低,因此确保了非常低 | |
IXTP90N20X3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTP94N20X4 | LITTELFUSE |
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说明: 功能与特色: 应用: | |
IXTP96P085T | IXYS |
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TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode | |
IXTP96P085T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用,这些应用可采用简单的接地参考驱 | |
IXTP98N075T | IXYS |
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Advance Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET | |
IXTP98N075T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(ON)极低,因此确保了非常低 | |
IXTP9P15 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-220 | |
IXTP9P20 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-220 |