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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTQ100N25P | IXYS |
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PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTQ100N25P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTQ102N15T | IXYS |
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Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTQ102N15T | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTQ10P50P | IXYS |
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PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTQ10P50P | LITTELFUSE |
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Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻( |
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| IXTQ110N055P | IXYS |
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PolarHT Power MOSFET |
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| IXTQ110N10P | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTQ110N10P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTQ120N15P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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