5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXTQ102N15T
IXTQ102N15T PDF预览

IXTQ102N15T

更新时间： 2024-11-18 20:20:55
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 234K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXTQ102N15T 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
Base Number Matches：1

IXTQ102N15T 数据手册

 浏览型号IXTQ102N15T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTQ102N15T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTQ102N15T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXTQ102N15T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXTQ102N15T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXTQ102N15T的Datasheet PDF文件第7页 
IXTA102N15T  
IXTH102N15T  
IXTP102N15T  
IXTQ102N15T  
Trench Gate  
Power MOSFETs  
VDSS = 150V  
ID25 = 102A  
RDS(on) ≤ 18mΩ  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 (IXTA)  
TO-247 (IXTH)  
TO-220 (IXTP)  
TO-3P (IXTQ)  
G
S
G
G
D
(TAB)  
(TAB)  
(TAB)  
G
S
D
(TAB)  
D
S
S
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C RGS = 1MΩ  
150  
150  
V
V
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
TAB = Drain  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
± 20  
± 30  
V
V
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25°C  
Lead Current Limit, RMS  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
102  
75  
300  
A
A
A
Features  
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
51  
750  
A
mJ  
z International Standard Packages  
z Avalanche Rated  
dV/dt  
PD  
IS ≤ IDM, VDD ≤ VDSS , TJ ≤ 175°C  
TC = 25°C  
10  
V/ns  
W
Advantages  
455  
z
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
z
z
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
Applications  
z DC-DC Converters  
z Battery Chargers  
Md  
FC  
Mounting Torque (TO-220, TO-3P, TO-247) 1.13 / 10  
Nmlb.in.  
N/lb.  
Mounting Force  
(TO-263)  
10..65/2.2..14.6  
z Switched-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
Weight  
TO-263  
2.5  
3.0  
5.5  
6.0  
g
g
g
g
TO-220  
TO-3P  
TO-247  
z DC Choppers  
z AC Motor Drives  
z Uninterruptible Power Supplies  
z High Speed Power Switching  
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
150  
2.5  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 1mA  
VGS = ± 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS= 0V  
V
V
5.0  
± 200 nA  
μA  
IDSS  
5
TJ = 150°C  
250 μA  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
18 mΩ  
DS99661C(04/09)  
© 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
12345678

中文翻译

下载PDF

与IXTQ102N15T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTQ10P50P IXYS

获取价格

 		PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ10P50P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(
IXTQ110N055P IXYS

获取价格

 		PolarHT Power MOSFET
IXTQ110N10P IXYS

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode
IXTQ110N10P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ120N15P LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ120N15P IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ120N20P LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ120N20P IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ130N10T IXYS

获取价格

 		TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

与IXTQ102N15T相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证