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IXTQ10P50P

更新时间： 2024-09-11 14:56:43

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关栅栅极
页数	文件大小	规格书
7页	209K
描述
Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(RDSon)显著降低30%，并将栅极电荷(Qg)降低40%，从而降低了传导损失，并能提供出色的开关性能。

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IXTQ10P50P 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

IXTQ10P50P 数据手册

PolarP^TM

Power MOSFET

IXTA10P50P

IXTP10P50P

IXTQ10P50P

IXTH10P50P

V_DSS= - 500V

I_D25= - 10A

R_DS(on)



1

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 AA (IXTA)

TO-220AB (IXTP)

TO-3P (IXTQ)

D (Tab)

TO-247 (IXTH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

- 500

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

D = Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

- 10

- 30

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

I_A

E_AS

T_C= 25C

- 10

1.5

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

300

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

^International Standard Packages

^Avalanche Rated

^Rugged PolarP^TMProcess

^Low Package Inductance

^Fast Intrinsic Diode

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

C

M_d

Mounting Torque (TO-3P,TO-220 & TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

6.0

Advantages

TO-247



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

- 500

- 2.0

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250A

V_DS= V_GS, I_D= - 250A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



High-Side Switches

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

- 4.5



100 nA



I_DSS

- 10 A

- 250 A



Current Regulators

T_J= 125C

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1



DS99911D(2/15)

12 3 4 5 6 7

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与IXTQ10P50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ110N055P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTQ110N10P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode
IXTQ110N10P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ120N15P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ120N15P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ120N20P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ120N20P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ130N10T	IXYS	获取价格	TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ130N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTQ130N15T	IXYS	获取价格	MOSFET N-CH 150V 130A TO-3P

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