IXTQ10P50P

更新时间： 2024-09-10 12:27:43

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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6页	185K
描述
PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTQ10P50P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	8.53
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTQ10P50P 数据手册

PolarP^TM

Power MOSFETs

IXTA10P50P

IXTP10P50P

IXTQ10P50P

IXTH10P50P

V_DSS= - 500V

I_D25= - 10A

R_DS(on)

≤

1Ω

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 AA (IXTA)

TO-220AB (IXTP)

TO-3P (IXTQ)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXTH)

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

- 500

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

D (Tab)

D = Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

- 10

- 30

G = Gate

S = Source

I_A

E_AS

T_C= 25°C

- 10

1.5

Tab = Drain

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

300

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

^zRugged PolarP^TMProcess

^zLow Package Inductance

^zFast Intrinsic Diode

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting Torque (TO-3P,TO-220 & TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

6.0

Advantages

TO-247

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

- 500

- 2.0

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250μA

V_DS= V_GS, I_D= - 250μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

High-Side Switches

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

- 4.0

±100 nA

I_DSS

- 10 μA

- 250 μA

Current Regulators

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

DS99911C(12/12)

12 3 4 5 6

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IXTQ10P50P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP10P50P	IXYS	完全替代	PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA10P50P	IXYS	完全替代	PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTH10P50P	IXYS	功能相似	PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

与IXTQ10P50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ110N055P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTQ110N10P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode
IXTQ110N10P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ120N15P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ120N15P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ120N20P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ120N20P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ130N10T	IXYS	获取价格	TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ130N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTQ130N15T	IXYS	获取价格	MOSFET N-CH 150V 130A TO-3P

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