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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 8.53 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTP10P50P | IXYS |
完全替代  |
PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTA10P50P | IXYS |
完全替代 |
PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTH10P50P | IXYS |
功能相似 |
PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTQ110N055P | IXYS |
获取价格 |
PolarHT Power MOSFET |
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| IXTQ110N10P | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTQ110N10P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTQ120N15P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTQ120N15P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTQ120N20P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTQ120N20P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTQ130N10T | IXYS |
获取价格 |
TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTQ130N10T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTQ130N15T | IXYS |
获取价格 |
MOSFET N-CH 150V 130A TO-3P |
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