是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | PLASTIC, TO-263, 3 PIN | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 3.94 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 1500 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 10 A | 最大漏极电流 (ID): | 10 A |
最大漏源导通电阻: | 1 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 300 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 30 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTQ10P50P | IXYS |
完全替代 |
PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTP10P50P | IXYS |
完全替代 |
PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTA110N055P | IXYS |
获取价格 |
PolarHT Power MOSFET | |
IXTA110N055T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTA110N055T2 | IXYS |
获取价格 |
DC to DC Synchronous Converter Design | |
IXTA110N055T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXTA110N055T2-TRL | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA110N055T7 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 112A I(D), 55V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTA110N055T7 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA110N12T2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA110N12T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA120N04T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |