Datasheet > IXTA120N04T2

IXTA120N04T2

更新时间： 2024-09-14 20:08:27

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	203K
描述
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0061ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTA120N04T2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	120 A	最大漏极电流 (ID)：	120 A
最大漏源导通电阻：	0.0061 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	360 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTA120N04T2 数据手册

TrenchT2^TM

Power MOSFET

V_DSS= 40V

I_D25= 120A

R_DS(on)≤ 6.1mΩ

IXTA120N04T2

IXTP120N04T2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263

(TAB)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

V_DGR

V_GSM

Transient

± 20

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

120

360

(TAB)

Drain

I_A

T_C= 25°C

400

200

G = Gate

S = Source

E_AS

P_D

TAB = Drain

T_J

-55 ... +175

175

°C

Features

T_JM

T_stg

^zInternational standard packages

^zAvalanche rated

-55 ... +175

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

^zLow package inductance

^z175°C Operating Temperature

^zHigh current handling capability

M_d

Mounting torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Low R_DS(on)

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

Applications

2.0

4.0

±100 nA

μA

• Synchronous Buck Converters

• High Current Switching Power

Supplies

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 150°C

50 μA

6.1 mΩ

• Battery Powered Electric Motors

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 25A, Notes 1, 2

• Resonant-mode power supplies

• Electronics Ballast Application

• Class D Audio Amplifiers

DS99973A(11/08)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXTA120N04T2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA120N075T2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA120N075T2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA120P065T	IXYS	获取价格	TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode
IXTA120P065T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTA120P065T-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA12N50P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA12N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA12N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA12N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA12N70X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

与IXTA120N04T2相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

1
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

1
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

81
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

72

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTA120N04T2

IXTA120N04T2 技术参数

IXTA120N04T2 数据手册

与IXTA120N04T2相关器件

与IXTA120N04T2相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTA120N04T2

IXTA120N04T2 技术参数

IXTA120N04T2 数据手册

与IXTA120N04T2相关器件

与IXTA120N04T2相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？