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IXTA130N15X4A

更新时间： 2024-09-14 20:05:31
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力特 - LITTELFUSE /
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6页 238K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTA130N15X4A 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.71
Base Number Matches：1

IXTA130N15X4A 数据手册

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Advance Technical Information  
X4-Class  
VDSS = 150V  
ID25 = 130A  
RDS(on) 8.0m  
IXTA130N15X4A  
Power MOSFETTM  
AEC Q101 Qualified  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263  
(IXTA)  
G
S
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 150C  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
150  
150  
V
V
D (Tab)  
VDGR  
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
Tab = Drain  
ID25  
IDM  
TC = 25C  
130  
240  
A
A
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
65  
A
EAS  
800  
mJ  
Features  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25C  
10  
V/ns  
W
400  
International Standard Package  
Low RDS(ON) and QG  
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
Avalanche Rated  
TJM  
Tstg  
Low Package Inductance  
-55 ... +150  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Advantages  
FC  
Mounting Force  
TO-263  
10..65 / 2.2..14.6  
2.5  
N/lb  
g
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Weight  
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
DC-DC Converters  
PFC Circuits  
AC and DC Motor Drives  
Robotics and Servo Controls  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
150  
V
2.5  
4.5  
V
100 nA  
A  
IDSS  
5
TJ = 125C  
200 A  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Notes 1&2  
7.0  
8.0 m  
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100938A(9/18)  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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