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IXTA160N10T7

更新时间： 2024-09-13 21:16:59
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 205K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTA160N10T7 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.35
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：2
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

IXTA160N10T7 数据手册

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Preliminary Technical Information  
TrenchMVTM  
Power MOSFET  
VDSS = 100  
ID25 = 160  
RDS(on) ≤ 7.0 mΩ  
V
A
IXTA160N10T7  
N-ChannelEnhancementMode  
AvalancheRated  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-263 (7-lead) (IXTA..7)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C; RGS = 1 MΩ  
100  
100  
V
V
VGSM  
Transient  
± 30  
V
1
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25°C  
160  
120  
430  
A
A
A
7
Lead Current Limit, RMS  
(TAB)  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
Pin-out:1 - Gate  
2, 3 - Source  
4 - NC (cut)  
5,6,7 - Source  
TAB (8) - Drain  
IAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
25  
500  
A
mJ  
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/μs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 175°C, RG = 5 Ω  
3
V/ns  
TC = 25°C  
430  
W
Features  
ꢀUltra-low On Resistance  
ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
ꢀLow package inductance  
- easy to drive and to protect  
ꢀ175 °C Operating Temperature  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
Weight  
3
g
Advantages  
ꢀ
Easy to mount  
ꢀ
Space savings  
ꢀ
High power density  
Applications  
Automotive  
- Motor Drives  
- 42V Power Bus  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
ꢀ
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 μA  
VDS = VGS, ID = 1 mA  
VGS = ± 20 V, VDS = 0 V  
100  
V
V
- ABS Systems  
2.5  
4.5  
ꢀ
DC/DC Converters and Off-line UPS  
ꢀ
± 200  
nA  
Primary Switch for 24V and 48V  
Systems  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
5
μA  
μA  
ꢀ
Distributed Power Architechtures  
TJ = 150°C  
250  
and VRMs  
ꢀ
Electronic Valve Train Systems  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 25 A, Notes 1  
5.8  
7.0 mΩ  
ꢀ
High Current Switching  
Applications  
ꢀ
High Voltage Synchronous Recifier  
DS99709 (11/06)  
© 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved  
123456

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与IXTA160N10T7相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTA16N50P IXYS

获取价格

 		PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA16N50P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA170N075T2 IXYS

获取价格

 		Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET
IXTA170N075T2 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA180N055T IXYS

获取价格

 		Trench Gate Power MOSFET
IXTA180N085T IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 85V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA180N10T IXYS

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA180N10T LITTELFUSE

获取价格

 		沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTA180N10T7 IXYS

获取价格

 		PreliminaryTechnical Information TrenchMVTM Power MOSFET
IXTA180N10T7 LITTELFUSE

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 		沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低

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