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IXTA150N15X4

更新时间： 2024-09-14 14:56:19
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关栅存储栅极
页数 文件大小 规格书
7页 414K
描述
这些器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，打造出电阻RDS(on)和栅极电荷Qg显著更低的功率MOSFET。较低的通态电阻可减少传导损失；还能减少存储在输出电容中的能量，最大限度地减少开关损耗。

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IXTA150N15X4 数据手册

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Advance Technical Information  
X4-Class  
VDSS = 150V  
ID25 = 150A  
RDS(on) 6.9m  
IXTA150N15X4  
IXTA150N15X4-7  
Power MOSFETTM  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263  
G
S
D (Tab)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 175C  
150  
150  
V
V
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
Tab = Drain  
VDGR  
TJ = 25C to 175C, RGS = 1M  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
TO-263 (7-Leads)  
ID25  
IL(RMS)  
TC = 25C  
External Lead Current Limit  
150  
120  
A
A
1
IDM  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
260  
A
7
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
75  
1
A
J
D (Tab)  
EAS  
Pins: 1 - Gate  
2, 3, 5 , 6 , 7 - Source  
4 (Tab) - Drain  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25C  
10  
V/ns  
W
480  
TJ  
-55 ... +175  
175  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
Features  
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
International Standard Packages  
Low RDS(ON) and QG  
Avalanche Rated  
FC  
Mounting Force  
10..65 / 2.2..14.6  
N/lb  
Low Package Inductance  
Weight  
TO-263  
TO-263 (7Leads)  
2.5  
3.0  
g
g
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
150  
V
V
Applications  
2.5  
4.5  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
100 nA  
Power Supplies  
DC-DC Converters  
PFC Circuits  
AC and DC Motor Drives  
IDSS  
10 A  
500 A  
TJ = 150C  
Robotics and Servo Controls  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
6.9 m  
DS100909A(6/18)  
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved.  
1234567

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与IXTA150N15X4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTA150N15X4-7 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，打造出电阻RDS(on)和栅极电荷Qg显著更低
IXTA152N085T IXYS

获取价格

 		Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET
IXTA15N50L2 LITTELFUSE

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 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA15N50L2 IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTA15N50L2-TRL IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor,
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IXTA160N04T2 LITTELFUSE

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IXTA160N075T IXYS

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