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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 336K | |
描述 | ||
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能(Tc=@25oC)。 通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择,这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。 |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.76 |
Is Samacsys: | N | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTA180N055T | IXYS |
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Trench Gate Power MOSFET | |
IXTA180N085T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 85V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTA180N10T | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTA180N10T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXTA180N10T7 | IXYS |
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PreliminaryTechnical Information TrenchMVTM Power MOSFET | |
IXTA180N10T7 | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXTA182N055T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 182A I(D), 55V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTA182N055T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(ON)极低,因此确保了非常低 | |
IXTA182N055T7 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 182A I(D), 55V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTA182N055T7 | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(ON)极低,因此确保了非常低 |