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IXTA150N15X4-7

更新时间： 2024-11-06 14:56:19

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力特 - LITTELFUSE		开关栅存储栅极
页数	文件大小	规格书
7页	414K
描述
这些器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，打造出电阻RDS(on)和栅极电荷Qg显著更低的功率MOSFET。较低的通态电阻可减少传导损失；还能减少存储在输出电容中的能量，最大限度地减少开关损耗。

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IXTA150N15X4-7 数据手册

Advance Technical Information

X4-Class

V_DSS= 150V

I_D25= 150A

R_DS(on) 6.9m

IXTA150N15X4

IXTA150N15X4-7

Power MOSFET^TM

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 175C

150

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

V_DGR

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

TO-263 (7-Leads)

I_D25

I_L(RMS)

T_C= 25C

External Lead Current Limit

150

120

I_DM

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

260

I_A

T_C= 25C

D (Tab)

E_AS

Pins: 1 - Gate

2, 3, 5 , 6 , 7 - Source

4 (Tab) - Drain

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

480

T_J

-55 ... +175

175

C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +175

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated

F_C

Mounting Force

10..65 / 2.2..14.6

N/lb

Low Package Inductance

Weight

TO-263

TO-263 (7Leads)

2.5

3.0

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

150

Applications

2.5

4.5



Switch-Mode and Resonant-Mode

100 nA

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives



I_DSS

10 A

500 A



T_J= 150C



Robotics and Servo Controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

6.9 m

DS100909A(6/18)

12 3 4 5 6 7

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IXTA15N50L2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA15P15T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 150V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
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