Datasheet > IXTA150N15X4-7

IXTA150N15X4-7

更新时间： 2024-11-19 14:56:19

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关栅存储栅极
页数	文件大小	规格书
7页	414K
描述
这些器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，打造出电阻RDS(on)和栅极电荷Qg显著更低的功率MOSFET。较低的通态电阻可减少传导损失；还能减少存储在输出电容中的能量，最大限度地减少开关损耗。

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTA150N15X4-7 数据手册

Advance Technical Information

X4-Class

V_DSS= 150V

I_D25= 150A

R_DS(on) 6.9m

IXTA150N15X4

IXTA150N15X4-7

Power MOSFET^TM

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 175C

150

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

V_DGR

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

TO-263 (7-Leads)

I_D25

I_L(RMS)

T_C= 25C

External Lead Current Limit

150

120

I_DM

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

260

I_A

T_C= 25C

D (Tab)

E_AS

Pins: 1 - Gate

2, 3, 5 , 6 , 7 - Source

4 (Tab) - Drain

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

480

T_J

-55 ... +175

175

C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +175

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated

F_C

Mounting Force

10..65 / 2.2..14.6

N/lb

Low Package Inductance

Weight

TO-263

TO-263 (7Leads)

2.5

3.0

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

150

Applications

2.5

4.5



Switch-Mode and Resonant-Mode

100 nA

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives



I_DSS

10 A

500 A



T_J= 150C



Robotics and Servo Controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

6.9 m

DS100909A(6/18)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXTA150N15X4-7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA152N085T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET
IXTA15N50L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA15N50L2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTA15N50L2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA15P15T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 150V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTA15P15T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA160N04T2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA160N04T2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA160N075T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET
IXTA160N075T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低

与IXTA150N15X4-7相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

36

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTA150N15X4-7

IXTA150N15X4-7 数据手册

与IXTA150N15X4-7相关器件

与IXTA150N15X4-7相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTA150N15X4-7

IXTA150N15X4-7 数据手册

与IXTA150N15X4-7相关器件

与IXTA150N15X4-7相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？