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IXTA160N10T

更新时间： 2024-11-22 14:56:47

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
6页	312K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXTA160N10T 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.35
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

IXTA160N10T 数据手册

Preliminary Technical Information

Trench^TM

Power MOSFET

V_DSS= 100V

I_D25= 160A

R_DS(on) 7.0m

IXTA160N10T

IXTP160N10T

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263

(IXTA)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220

(IXTP)

T_J= 25C to 175C

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

100

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 20

 30

I_D25

I_L(RMS)

I_DM

T_C= 25C (Chip Capability)

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

160

120

430

D (Tab)

G = Gate

= Drain

S = Source Tab = Drain

I_A

T_C= 25C

E_AS

500

dV/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS,T_J 175C

T_C= 25C

V/ns

Features

430

^Ultra-Low On Resistance

^Avalanche Rated

^Low Package Inductance

- Easy to Drive and to Protect

^175C Operating Temperature

^Fast Intrinsic Diode

T_J

-55 ... +175

175



C

T_JM

T_stg

-55 ... +175

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Advantages

F_C

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in

M_d



Easy to Mount

Space Savings

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0



High Power Density

Applications



Automotive

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.

- Motor Drives

- 42V Power Bus

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS=  20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

100

2.5

- ABS Systems



4.5

            200 nA

A

DC/DC Converters and Off-line UPS

Primary Switch for 24V and 48V

Systems

Distributed Power Architechtures



I_DSS

and VRMs

Electronic Valve Train Systems

High Current Switching

T_J= 150C

V_GS= 10V, I_D= 25A, Notes 1& 2

250  A

7.0 m



R_DS(on)

6.1



Applications

High Voltage Synchronous Recifier



DS99650A(11/18)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA160N10T7	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA160N10T7	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA16N50P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA16N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA170N075T2	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET
IXTA170N075T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA180N055T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET
IXTA180N085T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 85V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA180N10T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA180N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低

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