是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | TO-263, 6 PIN | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.84 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 750 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 75 V |
最大漏极电流 (ID): | 160 A | 最大漏源导通电阻: | 0.006 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-G6 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 430 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTA160N075T | IXYS |
类似代替 |
Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET | |
IXTP160N075T | IXYS |
功能相似 |
Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTA160N10T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTA160N10T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXTA160N10T7 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTA160N10T7 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA16N50P | IXYS |
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PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTA16N50P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTA170N075T2 | IXYS |
获取价格 |
Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET | |
IXTA170N075T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXTA180N055T | IXYS |
获取价格 |
Trench Gate Power MOSFET | |
IXTA180N085T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 85V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |