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IXTA182N055T7 PDF预览

IXTA182N055T7

更新时间： 2024-11-18 19:53:51
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 199K
描述
Power Field-Effect Transistor, 182A I(D), 55V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, TO-263, 6 PIN

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IXTA182N055T7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-G6针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：1000 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：182 A最大漏源导通电阻：0.005 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263
JESD-30 代码：R-PSFM-G6JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：490 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTA182N055T7 数据手册

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Preliminary Technical Information  
TrenchMVTM  
Power MOSFET  
VDSS = 55  
ID25 = 182  
RDS(on) ≤ 5.0 m Ω  
V
A
IXTA182N055T7  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-263 (7-lead) (IXTA..7)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25° C to 175° C  
TJ = 25° C to 175° C; RGS = 1 MΩ  
55  
55  
V
V
VGSM  
Transient  
20  
V
1
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25° C  
Package Current Limit, RMS  
TC = 25° C, pulse width limited by TJM  
182  
160  
490  
A
A
A
7
(TAB)  
Pin-out:1 - Gate  
2, 3 - Source  
4 - NC (cut)  
5,6,7 - Source  
TAB (8) - Drain  
IAR  
EAS  
TC =25°C  
TC = 25° C  
25  
1.0  
A
J
dv/dt  
PD  
IS ≤IDM, di/dt ≤100 A/µs, VDD ≤VDSS  
TJ ≤175° C, RG = 5 Ω  
3
V/ns  
TC =25°C  
360  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
Features  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
ꢀUltra-low On Resistance  
ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
Weight  
3
g
ꢀLow package inductance  
- easy to drive and to protect  
ꢀ175 ° C Operating Temperature  
Advantages  
ꢀ
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
ꢀ
(TJ = 25° C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
ꢀ
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 250 µA  
55  
V
V
Applications  
ꢀ
2.0  
4.0  
Automotive  
VGS  
=
20 V, VDS = 0 V  
100  
nA  
- Motor Drives  
- High Side Switch  
- 12VBattery  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
5
250  
µA  
µA  
TJ = 150° C  
- ABS Systems  
ꢀ
DC/DC Converters and Off-line UPS  
Primary- Side Switch  
High Current Switching  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 25 A, Note 1  
3.5  
5.0 m Ω  
ꢀ
ꢀ
Applications  
DS99681 (11/06)  
© 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved  
123456

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IXTA182N055T7 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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