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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 309K | |
描述 | ||
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1200V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTA1N120P-TRL | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA1N170DHV | LITTELFUSE |
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与普通的增强型MOSFET不同,耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。 因此,这种器件 | |
IXTA1N200P3HV | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA1N200P3HV | LITTELFUSE |
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Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统,包括高压电源、电容放电电路 | |
IXTA1N300P3HV | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA1N80 | IXYS |
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High Voltage MOSFET | |
IXTA1N80P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
IXTA1R4N100P | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTA1R4N100P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTA1R4N120P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |