Datasheet > IXTA1N170DHV

IXTA1N170DHV

更新时间： 2024-09-16 14:56:11

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
6页	266K
描述
与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。因此，这种器件可以保持在零栅偏压或更高的栅偏压，但同时具有与类似的MOSFET相似的特性。此类产品适用于电平移动、固态

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTA1N170DHV 数据手册

Preliminary Technical Information

Depletion Mode

MOSFET

V_DSX= 1700V

I_D(on)> 1A

IXTA1N170DHV

IXTH1N170DHV

R_DS(on) 16

N-Channel

TO-263HV (IXTA)

D (Tab)

TO-247HV (IXTH)

Symbol

V_DSX

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

1700

V_DGX

V_GSX

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

P_D

T_C= 25C

290

D (Tab)

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

F_C

Mounting Force (TO-263HV)

Mounting Torque (TO-247HV)

10..65 / 22..14.6

1.13/10

N/lb

M_d

Nm/lb.in

Features

Weight

TO-263HV

TO-247HV

2.5

6.0

• Normally ON Mode

• Molding Epoxies Meet UL94V-0

Flammability Classification

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

• Easy to Mount

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1700

- 2.5

Typ.

Max.

• Space Savings

• High Power Density

BV_DSX

V_GS(off)

I_GSX

V_GS= - 5V, I_D= 250A

V_DS= 25V, I_D= 250A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSX, V_GS= - 5V

- 4.5

Applications

100 nA

• Audio Amplifiers

• Start-Up Circuits

• Protection Circuits

• Ramp Generators

• Current Regulators

• Active Loads

I_DSX(off)

10 A

100 A

T_J= 125C

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 0V, I_D= 0.5A, Note 1

V_GS= 0V, V_DS= 50V, Note 1



1.0

DS100609A(2/17)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXTA1N170DHV相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA1N200P3HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA1N200P3HV	LITTELFUSE	获取价格	Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路
IXTA1N300P3HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA1N80	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTA1N80P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IXTA1R4N100P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA1R4N100P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA1R4N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA1R6N100D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTA1R6N100D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电