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IXTA1N120P-TRL

更新时间： 2024-11-22 03:27:19
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
6页 309K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTA1N120P-TRL 数据手册

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PolarTM  
Power MOSFET  
IXTY1N120P  
IXTA1N120P  
IXTP1N120P  
VDSS = 1200V  
ID25 = 1A  
RDS(on) 20  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-252 (IXTY)  
G
S
D (Tab)  
TO-263 (IXTA)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 150C  
1200  
1200  
V
V
G
S
VDGR  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
D (Tab)  
TO-220 (IXTP)  
ID25  
IDM  
TC = 25C  
1.0  
1.8  
A
A
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
1.0  
A
G
EAS  
100  
mJ  
D
S
D (Tab)  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25C  
10  
63  
V/ns  
W
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
Tab = Drain  
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
Features  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
International Standard Packages  
Low QG  
Avalanche Rated  
Low Package Inductance  
Fast Intrinsic Rectifier  
FC  
Md  
Mounting Force (TO-263)  
Mounting Torque (TO-220)  
10..65 / 2.2..14.6  
1.13 / 10  
N/lb  
Nm/lb.in  
Weight  
TO-252  
TO-263  
TO-220  
0.35  
2.50  
3.00  
g
g
g
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 50μA  
VGS = 30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
1200  
V
V
2.5  
4.5  
DC-DC Converters  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
50 nA  
A  
Power Supplies  
AC and DC Motor Drives  
IDSS  
5
Discharge Circiuts in Lasers, Spark  
Igniters, RF Generators  
TJ = 125C  
200 A  
  
High Voltage Pulse Power  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Notes 1& 2  
15.5  
20.0   
Applications  
DS99870D(6/18)  
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

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与IXTA1N120P-TRL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTA1N170DHV LITTELFUSE

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 		与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。 因此，这种器件
IXTA1N200P3HV IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA1N200P3HV LITTELFUSE

获取价格

 		Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路
IXTA1N300P3HV IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA1N80 IXYS

获取价格

 		High Voltage MOSFET
IXTA1N80P LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IXTA1R4N100P IXYS

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA1R4N100P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA1R4N120P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA1R6N100D2 IXYS

获取价格

 		Depletion Mode MOSFET

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