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IXTA1N100P

更新时间： 2024-11-19 14:56:51

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力特 - LITTELFUSE		/
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6页	322K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

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Polar^TM

Power MOSFET

IXTY1N100P

IXTA1N100P

IXTP1N100P

V_DSS= 1000V

I_D25= 1A

R_DS(on) 15

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-252 (IXTY)

D (Tab)

TO-263 (IXTA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

1000

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

TO-220 (IXTP)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

1.0

1.8

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25C

1.0

D (Tab)

E_AS

100

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



International Standard Packages

Low Q_G

Avalanche Rated

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier



F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in

Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 50μA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

1000



2.5

4.5

DC-DC Converters

Switch-Mode and Resonant-Mode



50 nA

A

Power Supplies

AC and DC Motor Drives



I_DSS





Lasers Drivers

T_J= 125C

100 A





Robotics and Servo Controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

12.2

15.0 

DS99234H(8/17)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA1N120P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1200V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTA1N120P-TRL	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA1N170DHV	LITTELFUSE	获取价格	与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。因此，这种器件
IXTA1N200P3HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA1N200P3HV	LITTELFUSE	获取价格	Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路
IXTA1N300P3HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA1N80	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTA1N80P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IXTA1R4N100P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA1R4N100P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

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