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IXTA180N055T

更新时间： 2024-11-17 22:11:03

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IXYS		栅
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5页	116K
描述
Trench Gate Power MOSFET

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IXTA180N055T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	180 A
最大漏源导通电阻：	0.004 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	600 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	PURE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTA180N055T 数据手册

Advance Technical Information

IXTQ 180N055T

IXTA 180N055T

IXTP 180N055T

V_DSS= 55 V

I_D25= 180 A

R_DS(on)= 4.0 mΩ

Trench Gate

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

TO-3P(IXTQ)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GSM

TO-220 (IXTP)

I_D25

I_DRMS

I_DM

T_C= 25°C

External lead current limit

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

180

600

I_AR

T_C= 25°C

1.0

(TAB)

E_AS

dv/dt

TO-263 (IXTA)

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 10 Ω

V/ns

P_D

T_C= 25°C

360

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +150

°C

(TAB)

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum tab temperature for soldering

TO-263 package for 10s

300

260

°C

Features

M_d

Mounting torque

(TO-3P / TO-220)

1.13/10 Nm/lb.in.

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

Weight

TO-3P

TO-220

TO-263

5.5

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Advantages

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 1 mA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

Easy to mount

Space savings

High power density

2.0

4.0

200

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 50 A

3.3

4.0 mΩ

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99342(02/05)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXTA180N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTA180N10T7	IXYS	获取价格	PreliminaryTechnical Information TrenchMVTM Power MOSFET
IXTA180N10T7	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTA182N055T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 182A I(D), 55V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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