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IXTA180N10T7

更新时间： 2024-09-14 14:56:43
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅
页数 文件大小 规格书
6页 264K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXTA180N10T7 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.69
Base Number Matches：1

IXTA180N10T7 数据手册

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PreliminaryTechnical Information  
TrenchMVTM  
Power MOSFET  
VDSS = 100  
ID25 = 180  
RDS(on) ≤ 6.4 mΩ  
V
A
IXTA180N10T7  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-263 (7-lead) (IXTA..7)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25° C to 175° C  
TJ = 25° C to 175° C; RGS = 1 MΩ  
100  
100  
V
V
VGSM  
Transient  
30  
V
1
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC =25°C  
Package Current Limit, RMS  
TC = 25° C, pulse width limited by TJM  
180  
120  
450  
A
A
A
7
(TAB)  
Pin-out:1 - Gate  
2, 3 - Source  
4 - NC (cut)  
5,6,7 - Source  
TAB (8) - Drain  
IAR  
EAS  
TC =25°C  
TC = 25° C  
25  
750  
A
mJ  
dv/dt  
PD  
IS ≤IDM, di/dt ≤100 A/µs, VDD ≤VDSS  
TJ ≤175° C, RG =3.3 Ω  
3
V/ns  
W
Features  
TC =25°C  
480  
ꢀUltra-low On Resistance  
°C ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
rated  
ꢀLow package inductance  
- easy to drive and to protect  
ꢀ175 ° C Operating Temperature  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
Weight  
3
g
Advantages  
ꢀ
Easy to mount  
Space savings  
ꢀ
ꢀ
High power density  
Applications  
ꢀ
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Automotive  
(TJ = 25° C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
- Motor Drives  
- 42V Power Bus  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 250 µA  
100  
V
V
- ABS Systems  
ꢀ
2.5  
4.5  
DC/DC Converters and Off-line UPS  
Primary Switch for 24V and 48V  
Systems  
Distributed Power Architechtures  
and VRMs  
Electronic Valve Train Systems  
High Current Switching  
ꢀ
VGS  
=
20 V, VDS = 0 V  
200  
nA  
ꢀ
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
5
250  
µA  
µA  
TJ = 150° C  
ꢀ
ꢀ
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 25 A, Note 1  
5.4  
6.4 m Ω  
Applications  
High Voltage Synchronous Recifier  
ꢀ
DS99711 (11/06)  
© 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved  
123456

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