IXTA16N50P

更新时间： 2024-11-05 12:27:43

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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4页	148K
描述
PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTA16N50P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	35 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTA16N50P 数据手册

PolarHV^TM

Power MOSFET

IXTA 16N50P

IXTP 16N50P

IXTQ 16N50P

V_DSS= 500 V

I_D25= 16 A

R_DS(on)≤ 400 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-263 (IXTA)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

500

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

TO-220 (IXTP)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

750

(TAB)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 10 Ω

V/ns

T_C= 25°C

300

TO-3P (IXTQ)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

M_d

Mounting torque

(TO-220, TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

(TAB)

Weight

TO-220

TO-263

TO-3P

5.5

G = Gate

D = Drain

TAB = Drain

S = Source

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Features

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

500

3.0

5.5

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

100

μA

T_J= 125°C

Advantages

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

400 mΩ

Easy to mount

Space savings

High power density

DS99323E(03/06)

12 3 4

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IXTA16N50P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP16N50P	IXYS	完全替代	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXFP16N50P	IXYS	完全替代	PolarHV HiperFET Power MOSFET
IXFA16N50P	IXYS	完全替代	PolarHV HiperFET Power MOSFET

与IXTA16N50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA170N075T2	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET
IXTA170N075T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA180N055T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET
IXTA180N085T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 85V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA180N10T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA180N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTA180N10T7	IXYS	获取价格	PreliminaryTechnical Information TrenchMVTM Power MOSFET
IXTA180N10T7	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTA182N055T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 182A I(D), 55V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA182N055T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低

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