型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTA160N075T7 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 75V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTA160N075T7 | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(ON)极低,因此确保了非常低 | |
IXTA160N10T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTA160N10T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXTA160N10T7 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTA160N10T7 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA16N50P | IXYS |
获取价格 |
PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTA16N50P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTA170N075T2 | IXYS |
获取价格 |
Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET | |
IXTA170N075T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 |