5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXTA160N075T
IXTA160N075T PDF预览

IXTA160N075T

更新时间： 2024-11-21 14:56:15
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 254K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXTA160N075T 数据手册

 浏览型号IXTA160N075T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTA160N075T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTA160N075T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXTA160N075T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXTA160N075T的Datasheet PDF文件第6页 
Preliminary Technical Information  
TrenchMVTM  
Power MOSFET  
IXTA160N075T  
IXTP160N075T  
VDSS = 75  
ID25 = 160  
RDS(on) ≤ 6.0 mΩ  
V
A
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-263 (IXTA)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C; RGS = 1 MΩ  
75  
75  
V
V
G
S
D (TAB)  
VGSM  
Transient  
± 20  
V
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25°C  
160  
75  
430  
A
A
A
TO-220 (IXTP)  
Lead Current Limit, RMS  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
IAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
25  
750  
A
mJ  
D (TAB)  
G
D
S
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/μs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 175C, RG = 5 Ω  
3
V/ns  
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
TC = 25°C  
360  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
Features  
ꢀUltra-low On Resistance  
ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
ꢀLow package inductance  
- easy to drive and to protect  
ꢀ175 °C Operating Temperature  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
Md  
Mounting torque (TO-3P, TO-220)  
1.13 / 10 Nm/lb.in.  
Weight  
TO-220  
TO-263  
3
2.5  
g
g
Advantages  
ꢀ
Easy to mount  
ꢀ
Space savings  
ꢀ
High power density  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Applications  
Automotive  
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
ꢀ
- Motor Drives  
- 42V Power Bus  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 μA  
VDS = VGS, ID = 250 μA  
VGS = ± 20 V, VDS = 0 V  
75  
V
V
2.0  
4.0  
- ABS Systems  
ꢀ
DC/DC Converters and Off-line UPS  
± 200  
nA  
ꢀ
Primary Switch for 24V and 48V  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
5
μA  
μA  
Systems  
High Current Switching  
Applications  
ꢀ
TJ = 150°C  
250  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 25 A, Notes 1, 2  
5.1  
6.0 mΩ  
DS99520 (11/06)  
© 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved  
123456

中文翻译

下载PDF

与IXTA160N075T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTA160N075T7 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 75V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA160N075T7 LITTELFUSE

获取价格

 		沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTA160N10T IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA160N10T LITTELFUSE

获取价格

 		沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTA160N10T7 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA160N10T7 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA16N50P IXYS

获取价格

 		PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA16N50P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA170N075T2 IXYS

获取价格

 		Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET
IXTA170N075T2 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能

与IXTA160N075T相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证