5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXTA140P05T
IXTA140P05T PDF预览

IXTA140P05T

更新时间： 2024-11-19 14:56:43
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关驱动高压
页数 文件大小 规格书
7页 244K
描述
Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱动电路，避免使用N通道MOSFET通常涉及的额外“高压侧”驱动电路。 这让设计人员可以减少元件数量，从而简

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXTA140P05T 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.74
Base Number Matches：1

IXTA140P05T 数据手册

 浏览型号IXTA140P05T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTA140P05T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTA140P05T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXTA140P05T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXTA140P05T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXTA140P05T的Datasheet PDF文件第7页 
TrenchPTM  
Power MOSFETs  
VDSS = - 50V  
ID25 = - 140A  
IXTA140P05T  
IXTP140P05T  
IXTH140P05T  
RDS(on)  
≤
9mΩ  
P-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 AA (IXTA)  
G
S
D (Tab)  
TO-220AB (IXTP)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ  
- 50  
- 50  
V
V
VDGR  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±15  
±25  
V
V
G
D
S
D (Tab)  
TO-247 (IXTH)  
ID25  
TC = 25°C (Chip Capability)  
-140  
A
ILRMS  
IDM  
Lead Current Limit, RMS  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
-120  
- 420  
A
A
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
- 70  
1
A
J
G
D
S
D (Tab)  
PD  
TC = 25°C  
298  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
Tab = Drain  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Features  
Md  
Mounting Torque (TO-220 & TO-247)  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
z International Standard Packages  
z Avalanche Rated  
Weight  
TO-263  
TO-220  
TO-247  
2.5  
3.0  
6.0  
g
g
g
z Extended FBSOA  
z Fast Intrinsic Diode  
z
Low RDS(ON) and QG  
Advantages  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ. Max.  
z
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = - 250μA  
VDS = VGS, ID = - 250μA  
VGS = ± 15V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
- 50  
V
V
z
- 2.0  
- 4.0  
Applications  
±100 nA  
z
High-Side Switching  
Push Pull Amplifiers  
DC Choppers  
Automatic Test Equipment  
Current Regulators  
Battery Charger Applications  
IDSS  
-10 μA  
- 750 μA  
z
TJ = 125°C  
z
z
RDS(on)  
VGS = -10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
9 mΩ  
z
z
DS100027C(01/13)  
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

中文翻译

下载PDF

与IXTA140P05T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTA14N60P IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTA14N60P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA150N15X4 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，打造出电阻RDS(on)和栅极电荷Qg显著更低
IXTA150N15X4-7 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，打造出电阻RDS(on)和栅极电荷Qg显著更低
IXTA152N085T IXYS

获取价格

 		Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET
IXTA15N50L2 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA15N50L2 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTA15N50L2-TRL IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA15P15T IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 150V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTA15P15T LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,

与IXTA140P05T相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证