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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 211K | |
描述 | ||
Power Field-Effect Transistor, |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.37 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTA140P05T | IXYS |
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TrenchP Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTA140P05T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用,这些应用可采用简单的接地参考驱 | |
IXTA14N60P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
IXTA14N60P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTA150N15X4 | LITTELFUSE |
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这些器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,打造出电阻RDS(on)和栅极电荷Qg显著更低 | |
IXTA150N15X4-7 | LITTELFUSE |
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这些器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,打造出电阻RDS(on)和栅极电荷Qg显著更低 | |
IXTA152N085T | IXYS |
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Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET | |
IXTA15N50L2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA15N50L2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTA15N50L2-TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |