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IXTA140P05T

更新时间： 2024-11-20 12:53:19

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描述
TrenchP Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTA140P05T 数据手册

TrenchP^TM

Power MOSFETs

V_DSS= - 50V

I_D25= - 140A

IXTA140P05T

IXTP140P05T

IXTH140P05T

R_DS(on)

≤

9mΩ

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 AA (IXTA)

D (Tab)

TO-220AB (IXTP)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

- 50

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±15

±25

D (Tab)

TO-247 (IXTH)

I_D25

T_C= 25°C (Chip Capability)

-140

I_LRMS

I_DM

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

-120

- 420

I_A

E_AS

T_C= 25°C

- 70

D (Tab)

P_D

T_C= 25°C

298

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

M_d

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

^zExtended FBSOA

^zFast Intrinsic Diode

Low R_DS(ON)and Q_G

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ. Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250μA

V_DS= V_GS, I_D= - 250μA

V_GS= ± 15V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS,V_GS= 0V

- 50

- 2.0

- 4.0

Applications

±100 nA

High-Side Switching

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

Current Regulators

Battery Charger Applications

I_DSS

-10 μA

- 750 μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

9 mΩ

DS100027C(01/13)

12 3 4 5 6

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IXTA140P05T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH140P05T	LITTELFUSE	功能相似	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTH140P05T	IXYS	功能相似	TrenchP Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP140P05T	IXYS	功能相似	TrenchP Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

与IXTA140P05T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA14N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTA14N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA150N15X4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，打造出电阻RDS(on)和栅极电荷Qg显著更低
IXTA150N15X4-7	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，打造出电阻RDS(on)和栅极电荷Qg显著更低
IXTA152N085T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET
IXTA15N50L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA15N50L2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTA15N50L2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA15P15T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 150V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTA15P15T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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