是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TO-247AD | 包装说明: | PLASTIC PACKAGE-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 8.51 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 1000 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 50 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 140 A |
最大漏极电流 (ID): | 140 A | 最大漏源导通电阻: | 0.009 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-247AD |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 298 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 420 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTA140P05T | IXYS |
功能相似 |
TrenchP Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTP140P05T | IXYS |
功能相似 |
TrenchP Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTH140P10T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 100V, 0.012ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M | |
IXTH140P10T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用,这些应用可采用简单的接地参考驱 | |
IXTH14N100 | IXYS |
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MegaMOSTMFET | |
IXTH14N80 | IXYS |
获取价格 |
MegaMOSFET | |
IXTH14N80 | LITTELFUSE |
获取价格 |
高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统,包括高压电源、电容放电电路、脉 | |
IXTH150N15X4 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTH150N17T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 175V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTH152N085T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 152A I(D), 85V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTH15N35MA | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-247(5) | |
IXTH15N35MB | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |