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力特 - LITTELFUSE | 栅 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 190K | |
描述 | ||
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围(从-40 °C到175 °C),这些产品非常适合汽车应用以及其他处 |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.39 | JESD-609代码: | e1 |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTH16N10D2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTH16N20D2 | IXYS |
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Depletion Mode MOSFET | |
IXTH16N20D2 | LITTELFUSE |
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不同于增强型MOSFET,这些耗尽型器件在“常开”模式下运行,因此栅极引出线处需要的开启电 | |
IXTH16N50D2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTH16N50D2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semicon | |
IXTH16P20 | IXYS |
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Standard Power MOSFET | |
IXTH16P20 | LITTELFUSE |
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P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V,并采用业内流行的TO-2 | |
IXTH16P60P | IXYS |
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Preliminary Technical Information PolarPTM Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode | |
IXTH16P60P | LITTELFUSE |
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Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造,相比传统产品将通态电阻( | |
IXTH17N55 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |