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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 15 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH15N60 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IXTH15N65 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR |
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| IXTH15N70 | INTERFET |
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N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTH15P15 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR |
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| IXTH15P20 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR |
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| IXTH160N075T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 75V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTH160N075T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTH160N10T | IXYS |
获取价格 |
Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET |
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| IXTH160N10T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTH160N15T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 150V, 0.0096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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