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IXTH16P20

更新时间： 2024-09-14 14:53:11

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		转换器
页数	文件大小	规格书
3页	112K
描述
P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-247和可表面贴装的TO-268封装。这些产品是降压转换器以及需要接地的负载的理想选择。它们可与对等的N

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IXTH16P20 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
其他特性：	AVALANCE RATED	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A	最大漏极电流 (ID)：	16 A
最大漏源导通电阻：	0.16 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	64 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTH16P20 数据手册

IXTH 16P20

V_DSS= -200 V

I_D25= -16 A

R_DS(on)= 0.16 Ω

Standard Power MOSFET

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

PreliminaryDataSheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 AD

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

-200

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

D (TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

-16

-64

-16

T_C= 25°C, pulse width limited by T_J

T_C= 25°C

G = Gate,

S = Source,

D=Drain,

TAB = Drain

E_AR

P_D

T_C= 25°C

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

Features

T_JM

T_stg

• International standard package

JEDEC TO-247 AD

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

-55 ... +150

T_L

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

• Rugged polysilicon gate cell structure

M_d

Mountingtorque

1.13/10 Nm/lb.in.

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

Weight

rated

• Low package inductance (<5 nH)

- easy to drive and to protect

Applications

Symbol

V_DSS

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

• High side switching

• Push-pull amplifiers

• DC choppers

min. typ. max.

V_GS= 0 V, I_D= -250 µA

-200

-3.0

• Automatic test equipment

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= -250 µA

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

-5.0

±100

-25

µA

Advantages

• Easy to mount with 1 screw

(isolatedmountingscrewhole)

• Space savings

I_DSS

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

-1 mA

R_DS(on)

V_GS= -10 V, I_D= 0.5 • I_D25

0.16

Ω

• High power density

DS98906B(1/04)

12 3

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