Datasheet > IXTH160N15T

IXTH160N15T

更新时间： 2024-09-13 21:13:23

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	124K
描述
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 150V, 0.0096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, PLASTIC PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTH160N15T 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (ID)：	160 A
最大漏源导通电阻：	0.0096 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	430 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTH160N15T 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchHV^TM

Power MOSFET

IXTH160N15T

V_DSS= 150

I_D25= 160

R_DS(on)≤ 9.6 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1MΩ

150

V_GSM

Transient

± 30

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

160

430

(TAB)

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

I_A

E_AS

T_C= 25°C

1.0

dv/dt

P_d

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

V/ns

T_C= 25°C

830

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

M_d

Mounting torque

1.13 / 10 Nm/lb.in.

Weight

Features

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

^z175 °C Operating Temperature

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Advantages

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 1 mA

V_GS= ± 20 V, V_DS= 0 V

150

Easy to mount

Space savings

2.5

5.0

High power density

± 200

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

300

μA

T_J= 150°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

8.0

9.6 mΩ

DS99840 (06/07)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

IXTH160N15T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH160N15T	IXYS	完全替代	Power MOSFET TrenchHV HiPerFET

与IXTH160N15T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH16N10D2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH16N20D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTH16N20D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTH16N50D2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH16N50D2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semicon
IXTH16P20	IXYS	获取价格	Standard Power MOSFET
IXTH16P20	LITTELFUSE	获取价格	P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-2
IXTH16P60P	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information PolarPTM Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode
IXTH16P60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(
IXTH17N55	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

与IXTH160N15T相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

78
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

69
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

100
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

114

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTH160N15T

IXTH160N15T 技术参数

IXTH160N15T 数据手册

IXTH160N15T 替代型号

与IXTH160N15T相关器件

与IXTH160N15T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTH160N15T

IXTH160N15T 技术参数

IXTH160N15T 数据手册

IXTH160N15T 替代型号

与IXTH160N15T相关器件

与IXTH160N15T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？