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IXTH160N075T PDF预览

IXTH160N075T

更新时间： 2024-09-13 20:04:27
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 178K
描述
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 75V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN

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IXTH160N075T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247AD
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：750 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：75 V
最大漏极电流 (ID)：160 A最大漏源导通电阻：0.006 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：430 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTH160N075T 数据手册

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Preliminary Technical Information  
TrenchMVTM  
Power MOSFET  
IXTH160N075T  
IXTQ160N075T  
VDSS = 75  
ID25 = 160  
RDS(on) ≤ 6.0 mΩ  
V
A
N-ChannelEnhancementMode  
AvalancheRated  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
TO-247 (IXTH)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 175°C  
75  
75  
V
TJ = 25°C to 175°C; RGS = 1 MΩ  
V
VGSM  
Transient  
± 20  
V
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25°C  
Lead Current Limit, RMS  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
160  
75  
430  
A
A
A
D (TAB)  
G
D
S
IAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
25  
750  
A
mJ  
TO-3P (IXTQ)  
dv/dt  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/ms, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 175°C, RG = 5 Ω  
3
V/ns  
PD  
TC = 25°C  
360  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
D (TAB)  
G
D
S
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
Md  
Mounting torque (TO-3P, TO-220)  
1.13 / 10 Nm/lb.in.  
Features  
Weight  
TO-3P  
TO-247  
5.5  
6
g
g
ꢀUltra-low On Resistance  
ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
ꢀLow package inductance  
- easy to drive and to protect  
ꢀ175 °C Operating Temperature  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
Advantages  
ꢀ
Easy to mount  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 μA  
VDS = VGS, ID = 250 μA  
VGS = ± 20 V, VDS = 0 V  
75  
V
V
ꢀ
Space savings  
ꢀ
High power density  
2.0  
4.0  
± 200  
nA  
Applications  
ꢀ
Automotive  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
5
μA  
μA  
- Motor Drives  
- 42V Power Bus  
TJ = 150°C  
250  
- ABS Systems  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 25 A, Notes 1, 2  
4.8  
6.0 mΩ  
ꢀ
DC/DC Converters and Off-line UPS  
ꢀ
Primary Switch for 24V and 48V  
Systems  
ꢀ
High Current Switching  
Applications  
DS99690 (11/06)  
© 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved  
12345

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IXTH160N075T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTA160N075T7 IXYS

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 75V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA160N075T IXYS

功能相似

 Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET
IXTP160N075T IXYS

功能相似

 Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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