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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-247 | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 4.44 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 750 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 15 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 15 A | 最大漏源导通电阻： | 0.48 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 35 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTP15N50L2 | IXYS |
完全替代  |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IXTA15N50L2 | IXYS |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH15N55 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| IXTH15N60 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IXTH15N65 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR |
|
| IXTH15N70 | INTERFET |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode |
|
| IXTH15P15 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR |
|
| IXTH15P20 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR |
|
| IXTH160N075T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 75V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTH160N075T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTH160N10T | IXYS |
获取价格 |
Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET |
|
| IXTH160N10T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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