5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXTA15N50L2
IXTA15N50L2 PDF预览

IXTA15N50L2

更新时间： 2024-02-10 23:28:29
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
5页 170K
描述
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXTA15N50L2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：D2PAK包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：8.49其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：750 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.48 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：35 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTA15N50L2 数据手册

 浏览型号IXTA15N50L2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTA15N50L2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTA15N50L2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXTA15N50L2的Datasheet PDF文件第5页 
Linear L2TM  
Power MOSFETs  
w/ Extended FBSOA  
VDSS = 500V  
ID25 = 15A  
RDS(on) ≤ 480mΩ  
IXTA15N50L2  
IXTP15N50L2  
IXTH15N50L2  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 AA (IXTA)  
G
S
D (Tab)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-220AB (IXTP)  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ  
500  
500  
V
V
VDGR  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
D
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
15  
35  
A
A
D (Tab)  
S
TO-247 (IXTH)  
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
15  
A
750  
mJ  
PD  
TC = 25°C  
300  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
G
D
D (Tab)  
S
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
Tab = Drain  
Md  
Mounting Torque (TO-220 & TO-247)  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
Features  
Weight  
TO-263  
TO-220  
TO-247  
2.5  
3.0  
6.0  
g
g
g
z
Designed for Linear Operation  
International Standard Packages  
Avalanche Rated  
Molding Epoxies Meet UL 94 V-0  
Flammability Classification  
Guaranteed FBSOA at 75°C  
z
z
z
z
Advantages  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
500  
2.5  
Typ. Max.  
z
z
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = ± 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
V
4.5  
Applications  
±100 nA  
z
IDSS  
25 μA  
200 μA  
Solid State Circuit Breakers  
Soft Start Controls  
Linear Amplifiers  
Programmable Loads  
z
TJ = 125°C  
z
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
480 mΩ  
z
z
Current Regulators  
DS100054B(12/11)  
© 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
12345

中文翻译

下载PDF

IXTA15N50L2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTP15N50L2 IXYS

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTH15N50L2 IXYS

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK4138 SANYO

功能相似

 N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

与IXTA15N50L2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTA15N50L2-TRL IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA15P15T IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 150V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTA15P15T LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA160N04T2 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA160N04T2 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA160N075T IXYS

获取价格

 		Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET
IXTA160N075T LITTELFUSE

获取价格

 		沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTA160N075T7 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 75V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA160N075T7 LITTELFUSE

获取价格

 		沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTA160N10T IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

与IXTA15N50L2相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证