Datasheet > IXTA140N055T2

IXTA140N055T2

更新时间： 2024-09-15 21:14:15

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	205K
描述
Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 55V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTA140N055T2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	600 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	140 A	最大漏极电流 (ID)：	140 A
最大漏源导通电阻：	0.0054 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	350 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTA140N055T2 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchT2^TM

Power MOSFET

IXTA140N055T2

IXTP140N055T2

V_DSS= 55V

I_D25= 140A

R_DS(on)≤ 5.4mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

V_DGR

(TAB)

V_GSM

Transient

± 20

TO-220 (IXTP)

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

140

350

I_A

T_C= 25°C

600

250

(TAB)

E_AS

P_D

G = Gate

= Drain

S = Source

TAB = Drain

T_J

-55 ... +175

175

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +175

Features

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

^zInternational standard packages

^z175°C Operating Temperature

^zHigh current handling capability

M_d

Mounting torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Avalanche rated

Low R_DS(on)

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

2.0

4.0

Applications

±200 nA

μA

Automotive

- Motor Drives

- 12V Battery

- ABS Systems

DC/DC Converters and Off-line UPS

Primary- Side Switch

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 150°C

150 μA

5.4 mΩ

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 50A, Notes 1, 2

High Current Switching Applications

DS100067(10/08)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXTA140N055T2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA140N12T2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA140N12T2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA140P05T	IXYS	获取价格	TrenchP Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA140P05T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTA14N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTA14N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA150N15X4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，打造出电阻RDS(on)和栅极电荷Qg显著更低
IXTA150N15X4-7	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，打造出电阻RDS(on)和栅极电荷Qg显著更低
IXTA152N085T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET
IXTA15N50L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

与IXTA140N055T2相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

6
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

6
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

84
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

78

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTA140N055T2

IXTA140N055T2 技术参数

IXTA140N055T2 数据手册

与IXTA140N055T2相关器件

与IXTA140N055T2相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTA140N055T2

IXTA140N055T2 技术参数

IXTA140N055T2 数据手册

与IXTA140N055T2相关器件

与IXTA140N055T2相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？