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IXTA130N10T PDF预览

IXTA130N10T

更新时间： 2024-11-06 14:56:51
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅
页数 文件大小 规格书
6页 177K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXTA130N10T 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.69
Base Number Matches：1

IXTA130N10T 数据手册

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TrenchMVTM  
Power MOSFET  
IXTA130N10T  
IXTP130N10T  
VDSS = 100V  
ID25 = 130A  
RDS(on) ≤ 9.1mΩ  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 (IXTA)  
G
S
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
(TAB)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C, RGS = 1MΩ  
100  
100  
V
V
TO-220 (IXTP)  
VGSM  
Transient  
± 30  
V
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25°C  
Lead Current Limit, RMS  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
130  
75  
350  
A
A
A
G
(TAB)  
D
S
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
65  
A
500  
mJ  
G = Gate  
D
= Drain  
PD  
TC = 25°C  
360  
W
S = Source  
TAB = Drain  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
Features  
z Ultra-low On Resistance  
z Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
z Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
z 175 °C Operating Temperature  
Md  
Mounting torque (TO-220)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
Weight  
TO-220  
TO-263  
3.0  
2.5  
g
g
Advantages  
z
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
z
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
Applications  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = ± 20V, VDS = 0V  
100  
V
V
z
Automotive  
- Motor Drives  
- 42V Power Bus  
2.5  
4.5  
± 200 nA  
μA  
- ABS Systems  
z
DC/DC Converters and Off-line UPS  
Primary Switch for 24V and 48V  
Systems  
Distributed Power Architechtures  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0V  
5
z
TJ = 150°C  
250 μA  
z
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 25A, Notes 1, 2  
9.1 mΩ  
and VRMs  
Electronic Valve Train Systems  
High Current Switching  
z
z
Applications  
High Voltage Synchronous Recifier  
z
DS99649B(07/08)  
© 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved  
123456

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与IXTA130N10T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTA130N10T7 IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 100V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IXTA130N10T7 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA130N15X4 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA130N15X4-7 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA130N15X4A LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA140N055T2 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 55V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA140N055T2 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA140N12T2 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA140N12T2 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA140P05T IXYS

获取价格

 		TrenchP Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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