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IXTA130N10T

更新时间： 2024-09-14 12:02:23
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
5页 154K
描述
TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTA130N10T 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：D2PAK包装说明：PLASTIC, TO-263, 3 PIN
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：8.46
其他特性：AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：130 A
最大漏极电流 (ID)：130 A最大漏源导通电阻：0.0091 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：360 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：350 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXTA130N10T 数据手册

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TrenchMVTM  
Power MOSFET  
IXTA130N10T  
IXTP130N10T  
VDSS = 100V  
ID25 = 130A  
RDS(on) ≤ 9.1mΩ  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 (IXTA)  
G
S
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
(TAB)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C, RGS = 1MΩ  
100  
100  
V
V
TO-220 (IXTP)  
VGSM  
Transient  
± 30  
V
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25°C  
Lead Current Limit, RMS  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
130  
75  
350  
A
A
A
G
(TAB)  
D
S
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
65  
A
500  
mJ  
G = Gate  
D
= Drain  
PD  
TC = 25°C  
360  
W
S = Source  
TAB = Drain  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
Features  
z Ultra-low On Resistance  
z Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
z Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
z 175 °C Operating Temperature  
Md  
Mounting torque (TO-220)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
Weight  
TO-220  
TO-263  
3.0  
2.5  
g
g
Advantages  
z
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
z
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
Applications  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = ± 20V, VDS = 0V  
100  
V
V
z
Automotive  
- Motor Drives  
- 42V Power Bus  
2.5  
4.5  
± 200 nA  
μA  
- ABS Systems  
z
DC/DC Converters and Off-line UPS  
Primary Switch for 24V and 48V  
Systems  
Distributed Power Architechtures  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0V  
5
z
TJ = 150°C  
250 μA  
z
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 25A, Notes 1, 2  
9.1 mΩ  
and VRMs  
Electronic Valve Train Systems  
High Current Switching  
z
z
Applications  
High Voltage Synchronous Recifier  
z
DS99649B(07/08)  
© 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved  
12345

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IXTA130N10T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXFA130N10T IXYS

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