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IXFA130N10T2 PDF预览

IXFA130N10T2

更新时间： 2024-11-05 11:13:59
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
6页 181K
描述
TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

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IXFA130N10T2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：8.48其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：800 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：130 A最大漏极电流 (ID)：130 A
最大漏源导通电阻：0.0091 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：360 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXFA130N10T2 数据手册

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Advance Technical Information  
TrenchT2TM HiperFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 100V  
ID25 = 130A  
RDS(on) ≤ 9.1mΩ  
IXFA130N10T2  
IXFP130N10T2  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 AA (IXFA)  
Fast Intrnsic Rectifier  
G
S
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
D (Tab)  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C, RGS = 1MΩ  
100  
100  
V
V
TO-220AB (IXFP)  
VDGR  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
± 20  
± 30  
V
V
ID25  
ILRMS  
TC = 25°C (Chip Capability)  
Lead Current Limit, RMS  
130  
120  
A
A
G
D
D (Tab)  
= Drain  
S
IDM  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
300  
A
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
65  
A
G = Gate  
S = Source  
D
EAS  
800  
mJ  
Tab = Drain  
dV/dt  
PD  
IS ≤ IDM,, VDD ≤ VDSS,TJ ≤ 175°C  
TC = 25°C  
20  
V/ns  
W
360  
Features  
TJ  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
z International Standard Packages  
z 175°C Operating Temperature  
z High Current Handling Capability  
z Fast Intrinsic Rectifier  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
TL  
Tsold  
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
z Dynamic dV/dt Rated  
z
Low RDS(on)  
Md  
Mounting Torque (TO-220)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
Weight  
TO-263  
TO-220  
2.5  
3.0  
g
g
Advantages  
z
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min. Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 1mA  
VGS = ± 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
100  
2.0  
V
V
Applications  
4.5  
z DC-DC Converters  
z Battery Chargers  
±200 nA  
z Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
IDSS  
10 μA  
TJ = 150°C  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Notes 1, 2  
500 μA  
z DC Choppers  
z AC Motor Drives  
RDS(on)  
9.1 mΩ  
z Uninterruptible Power Supplies  
z High Speed Power Switching  
Applications  
DS100111(10/09)  
© 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

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IXFA130N10T2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTA130N10T IXYS

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IXFA130N10T IXYS

类似代替

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IXFP130N10T2 IXYS

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