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IXFA130N10T2

更新时间： 2024-11-18 11:13:59

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6页	181K
描述
TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

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IXFA130N10T2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.48	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	800 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	130 A	最大漏极电流 (ID)：	130 A
最大漏源导通电阻：	0.0091 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	360 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFA130N10T2 数据手册

Advance Technical Information

TrenchT2^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 100V

I_D25= 130A

R_DS(on)≤ 9.1mΩ

IXFA130N10T2

IXFP130N10T2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 AA (IXFA)

Fast Intrnsic Rectifier

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

100

TO-220AB (IXFP)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_D25

I_LRMS

T_C= 25°C (Chip Capability)

Lead Current Limit, RMS

130

120

D (Tab)

= Drain

I_DM

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

300

I_A

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

E_AS

800

Tab = Drain

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM,, V_DD≤ V_DSS,T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

V/ns

360

Features

T_J

-55 ... +175

175

°C

^zInternational Standard Packages

^z175°C Operating Temperature

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Rectifier

T_JM

T_stg

-55 ... +175

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

^zDynamic dV/dt Rated

Low R_DS(on)

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

100

2.0

Applications

4.5

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

±200 nA

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_DSS

10 μA

T_J= 150°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Notes 1, 2

500 μA

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

R_DS(on)

9.1 mΩ

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

DS100111(10/09)

12 3 4 5 6

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IXFA130N10T2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTA130N10T	IXYS	类似代替	TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXFA130N10T	IXYS	类似代替	TrenchMV Power MOSFET HiperFET
IXFP130N10T2	IXYS	功能相似	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

与IXFA130N10T2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFA130N15X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA130N15X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA130N15X3TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA14N60P	IXYS	获取价格	PolarHV HiperFET Power MOSFET
IXFA14N60P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFA14N60P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA14N60P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFA14N85XHV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA16N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiperFET Power MOSFET
IXFA16N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:

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