Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IXFA230N075T2-7

IXFA230N075T2-7

更新时间： 2024-11-18 11:13:59

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
6页	172K
描述
TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFA230N075T2-7 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-263	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
针数：	7	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.46
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	850 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	230 A	最大漏极电流 (ID)：	230 A
最大漏源导通电阻：	0.0042 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	480 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	700 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFA230N075T2-7 数据手册

Advance Technical Information

TrenchT2^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 75V

I_D25= 230A

R_DS(on)≤ 4.2mΩ

IXFA230N075T2-7

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

TO-263 (7-lead)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

Tab

V_GSM

Transient

± 20

Pins: 1 - Gate

2, 3 - Source

5,6,7 - Source

Tab (8) - Drain

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C (Chip Capability)

Lead Current Limit, RMS

230

160

700

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

115

850

480

E_AS

P_D

Features

^zInternational Standard Package

^z175°C Operating Temperature

^zHigh Current Handling Capability

^zAvalanche Rated

T_J

-55 ... +175

175

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +175

^zFast Intrinsic Rectifier

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

Low R_DS(on)

Weight

TO-263

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Automotive

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

- Motor Drives

- 12V Power Bus

- ABS Systems

DC/DC Converters and Off-Line UPS

Primary- Side Switch

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

2.0

4.0

±200 nA

High Current Switching Applications

I_DSS

25 μA

T_J= 150°C

V_GS= 10V, I_D= 50A, Notes 1& 2

250 μA

R_DS(on)

4.2 mΩ

DS100244(03/10)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

IXFA230N075T2-7 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTA230N075T2-7	IXYS	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 230A I(D), 75V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA230N075T2	IXYS	类似代替	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXFH230N075T2	IXYS	类似代替	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

与IXFA230N075T2-7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFA230N075T2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA24N60X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFA26N30X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFA26N50P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFA26N65X2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用:
IXFA270N06T3	LITTELFUSE	获取价格	60V TrenchT3?功率MOSFET是对低压Trench MOSFET产品系列的扩展
IXFA30N25X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFA30N60X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFA34N65X2	IXYS	获取价格	MOSFET N-CH 650V 34A TO-263
IXFA34N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的

与IXFA230N075T2-7相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFA230N075T2-7

IXFA230N075T2-7 技术参数

IXFA230N075T2-7 数据手册

IXFA230N075T2-7 替代型号

与IXFA230N075T2-7相关器件

与IXFA230N075T2-7相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFA230N075T2-7

IXFA230N075T2-7 技术参数

IXFA230N075T2-7 数据手册

IXFA230N075T2-7 替代型号

与IXFA230N075T2-7相关器件

与IXFA230N075T2-7相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？