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IXFA3N120

更新时间： 2024-11-05 03:16:35

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描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFA3N120 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	PLASTIC, TO-263, 3 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	4.44	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	700 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1200 V
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	4.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFA3N120 数据手册

HiPerFET^TM

IXFA3N120

IXFP 3N120

V_DSS

I_D25

=1200 V

3 A

Power MOSFETs

R_DS(on)= 4.5 Ω

t_rr≤ 300 ns

N-ChannelEnhancementMode

Avalanche Rated, Low Q_g, High dv/dt

Preliminary Data Sheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-220(IXFP)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

1200

D (TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-263(IXFA)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

700

D (TAB)

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 4.7 Ω

V/ns

G = Gate

= Drain

P_D

T_C= 25°C

200

S = Source

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 to +150

150

-55 to +150

°C

Features

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque (TO-220)

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Low gate charge and capacitances

- easier to drive

Weight

TO-220

TO-263

- faster switching

International standard packages

Low R_{DS (on)}

Rated for unclamped Inductive load

Switching (UIS)

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ.

max.

V_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 1.5 mA

1200

2.5

Advantages

5.0

I_GSS

I_DSS

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

100

Easy to mount

Space savings

V_DS= V

= 25°C

µA

V_GS= 0^DV^SS

T_J^J= 125°C

High power density

R_DS(on)

= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

4.5

Ω

P^Gu^Slse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99036B(07/04)

12 3 4

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IXFA3N120 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFP3N120	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs
IXTP3N120	IXYS	功能相似	High Voltage Power MOSFETs

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IXFA44N25X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA4N100P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFA4N100P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFA4N100Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFA4N100Q_11	IXYS	获取价格	HiperFET Power MOSFETs Q-Class
IXFA4N100QSN	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IXFA4N100Q-TRL	IXYS	获取价格	MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
IXFA4N60P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA4N60P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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