Datasheet > IXFA3N120

IXFA3N120

更新时间： 2024-11-18 03:16:35

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
4页	566K
描述
HiPerFET Power MOSFETs

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFA3N120 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	PLASTIC, TO-263, 3 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	4.44	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	700 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1200 V
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	4.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFA3N120 数据手册

HiPerFET^TM

IXFA3N120

IXFP 3N120

V_DSS

I_D25

=1200 V

3 A

Power MOSFETs

R_DS(on)= 4.5 Ω

t_rr≤ 300 ns

N-ChannelEnhancementMode

Avalanche Rated, Low Q_g, High dv/dt

Preliminary Data Sheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-220(IXFP)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

1200

D (TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-263(IXFA)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

700

D (TAB)

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 4.7 Ω

V/ns

G = Gate

= Drain

P_D

T_C= 25°C

200

S = Source

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 to +150

150

-55 to +150

°C

Features

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque (TO-220)

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Low gate charge and capacitances

- easier to drive

Weight

TO-220

TO-263

- faster switching

International standard packages

Low R_{DS (on)}

Rated for unclamped Inductive load

Switching (UIS)

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ.

max.

V_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 1.5 mA

1200

2.5

Advantages

5.0

I_GSS

I_DSS

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

100

Easy to mount

Space savings

V_DS= V

= 25°C

µA

V_GS= 0^DV^SS

T_J^J= 125°C

High power density

R_DS(on)

= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

4.5

Ω

P^Gu^Slse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99036B(07/04)

12 3 4

中文翻译

下载PDF

IXFA3N120 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFP3N120	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs
IXTP3N120	IXYS	功能相似	High Voltage Power MOSFETs

与IXFA3N120相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFA3N80	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFA44N25X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA4N100P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFA4N100P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFA4N100Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFA4N100Q_11	IXYS	获取价格	HiperFET Power MOSFETs Q-Class
IXFA4N100QSN	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IXFA4N100Q-TRL	IXYS	获取价格	MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
IXFA4N60P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA4N60P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

与IXFA3N120相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFA3N120

IXFA3N120 技术参数

IXFA3N120 数据手册

IXFA3N120 替代型号

与IXFA3N120相关器件

与IXFA3N120相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFA3N120

IXFA3N120 技术参数

IXFA3N120 数据手册

IXFA3N120 替代型号

与IXFA3N120相关器件

与IXFA3N120相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？