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IXFA3N120

更新时间： 2024-02-08 23:27:18
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IXYS /
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4页 566K
描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFA3N120 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：D2PAK包装说明：PLASTIC, TO-263, 3 PIN
针数：4Reach Compliance Code：unknown
风险等级：4.44其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：700 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：1200 V
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：4.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXFA3N120 数据手册

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HiPerFETTM  
IXFA3N120  
IXFP 3N120  
VDSS  
ID25  
=1200 V  
=
3 A  
Power MOSFETs  
RDS(on) = 4.5 Ω  
trr ≤ 300 ns  
N-ChannelEnhancementMode  
Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt  
Preliminary Data Sheet  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
TO-220(IXFP)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
1200  
1200  
V
V
D (TAB)  
VGS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
G
D
S
ID25  
IDM  
IAR  
TC = 25°C  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
TC = 25°C  
3
12  
3
A
A
A
TO-263(IXFA)  
EAR  
EAS  
TC = 25°C  
20  
mJ  
mJ  
G
S
700  
D (TAB)  
dv/dt  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 4.7 Ω  
,
10  
V/ns  
G = Gate  
D
= Drain  
PD  
TC = 25°C  
200  
W
S = Source  
TAB = Drain  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 to +150  
150  
-55 to +150  
°C  
°C  
°C  
Features  
TL  
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s  
Mounting torque (TO-220)  
300  
°C  
z
Md  
1.13/10 Nm/lb.in.  
Low gate charge and capacitances  
- easier to drive  
Weight  
TO-220  
TO-263  
4
2
g
g
- faster switching  
z
z
z
International standard packages  
Low RDS (on)  
Rated for unclamped Inductive load  
Switching (UIS)  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
z
Molding epoxies meet UL 94 V-0  
flammability classification  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min.  
typ.  
max.  
VDSS  
VGS(th)  
VGS = 0 V, ID = 1 mA  
VDS = VGS, ID = 1.5 mA  
1200  
2.5  
V
V
Advantages  
5.0  
z
IGSS  
IDSS  
VGS = 20 VDC, VDS = 0  
100  
nA  
Easy to mount  
z
Space savings  
VDS = V  
T
= 25°C  
50  
2
µA  
z
VGS = 0DVSS  
TJJ = 125°C  
mA  
High power density  
RDS(on)  
V
= 10 V, ID = 0.5 ID25  
4.5  
Ω
PGuSlse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %  
© 2004 IXYS All rights reserved  
DS99036B(07/04)  
1234

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