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IXFA4N100QSN

更新时间： 2024-11-05 21:19:15

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	546K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC PACKAGE-3/2

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IXFA4N100QSN 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.69
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	700 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFA4N100QSN 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFA 4N100Q

IXFP 4N100Q

V_DSS

I_D25

=1000 V

4 A

R_DS(on)= 3.0 Ω

t_rr≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

Avalanche Rated, Low Q_g, High dv/dt

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-220(IXFP)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

1000

D (TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-263(IXFA)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

700

D (TAB)

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

G = Gate

= Drain

P_D

T_C= 25°C

150

S = Source

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 to +150

150

-55 to +150

°C

Features

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque (TO-220)

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

IXYS advanced low Q_gprocess

Low gate charge and capacitances

- easier to drive

Weight

TO-220

TO-263

- faster switching

International standard packages

Low R_{DS (on)}

Rated for unclamped Inductive load

Switching (UIS)

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

min.

typ.

max.

V_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 1.5 mA

1000

2.5

4.5

Advantages

I_GSS

I_DSS

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

100

Easy to mount

V_DS= V

= 25°C

µA

V_GS= 0^DV^SS

T_J^J= 125°C

Space savings

High power density

R_DS(on)

= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

3.0

Ω

P^Gu^Slse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS98705A(06/03)

12 3 4

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