Datasheet > IXFA4N85X

IXFA4N85X

更新时间： 2024-11-05 21:04:35

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	329K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFA4N85X 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
Base Number Matches：	1

IXFA4N85X 数据手册

Preliminary Technical Information

X-Class HiPERFET

Power MOSFET

V_DSS= 850V

I_D25= 3.5A

R_DS(on) 2.5

IXFY4N85X

IXFA4N85X

IXFP4N85X

N-Channel Enhancement Mode

TO-252 (IXFY)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25C to 150C

850

TO-263 (IXFA)

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

3.5

D (Tab)

10.0

TO-220 (IXFP)

I_A

T_C= 25C

E_AS

125

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

150

T_J

-55 ... +150

150

C

D (Tab)

T_JM

T_stg

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated



Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

Low Package Inductance

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

850



3.0

5.5

Applications

100 nA

A



I_DSS

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

T_J= 125C

500 A



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 2A, Note 1

2.5 



Robotics and Servo Controls

DS100768A(06/18)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXFA4N85X相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFA50N20X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFA56N30X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFA5N100P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFA5N100P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFA5N50P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXFA5N50P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA60N25X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFA6N120P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFA6N120P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFA72N20X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘

与IXFA4N85X相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFA4N85X

IXFA4N85X 技术参数

IXFA4N85X 数据手册

与IXFA4N85X相关器件

与IXFA4N85X相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFA4N85X

IXFA4N85X 技术参数

IXFA4N85X 数据手册

与IXFA4N85X相关器件

与IXFA4N85X相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？