生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.76 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 114 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFA60N25X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFA6N120P | IXYS |
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Polar HiPerFET Power MOSFET | |
IXFA6N120P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFA72N20X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFA72N30X3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFA72N30X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFA76N15T2 | IXYS |
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TrenchT2 HiperFET Power MOSFET | |
IXFA76N15T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXFA7N100P | IXYS |
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Polar HiPerFET Power MOSFET | |
IXFA7N100P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1000V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |